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PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDYB-09A1MS-RDK-000 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥396.1142 |
 | FDYB-09EEFP-RDK-001 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插座，母插座 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊料 安装类别: 面板安装，通孔 | ¥472.81651 |
 | FDYB-09EEFP-NDK-001 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插座，母插座 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊料 安装类别: 面板安装，通孔 | ¥472.81651 |
 | FDYB-09FGMS-NDK-000 | 安费诺环保连接器 (Amphenol LTW) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 9 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥568.71251 |
 | FDY2000PZ | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.15886 | |
 | FDY4001CZCT | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | ¥0.72429 | |
 | FDY2001PZ | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.43457 | |
 | FDY4000CZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安, 350毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | FDY4001CZ | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安、150毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.72429 | |
| FDY3000NZ | 台舟 (TECH PUBLIC) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: SOT-563F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.78725 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
