EMH2314-TL-H

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EMH2308-TL-H，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计为与8-SMD扁平引线封装盒一起工作，数据表说明中显示了用于Si的技术，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计为在表面安装中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作8-EMH供应商设备包。此外，FET类型为2 P通道（双通道），该器件提供1W功率最大值，该器件具有1个晶体管型P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为320pF@10V，FET特性为逻辑电平门，1.8V驱动，电流连续漏极Id 25°C为3A，最大Id Vgs为85mOhm@3A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为4nC@4.5V，晶体管极性为P沟道。

EMH2 T2R和ROHM制造的用户指南。EMH2 T2R采用SOT-563封装，是预偏置晶体管（BJT）阵列的一部分。

EMH2308-TL-E是SANYO制造的Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3A 8引脚Sot-383FL T/R。EMH2308-TL-E采用SOT363封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH Si 20V 3A 8引脚Sot-383FL T/R。