9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EMH2411R-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EMH2411R-TL-H参考价格为0.23000美元。onsemi EMH2411R-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5A EMH8。您可以下载EMH2411R-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EMH2408-TL-H是MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8，包括EMH2408系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-EMH供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.2W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为345pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为45 mOhm@4A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为4.7nC@4.5V，Id连续漏极电流为4 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-漏极电阻为45 m欧姆，晶体管极性为N沟道。
EMH2407-TL-H是MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商设备包功能，如8-EMH，系列设计用于EMH2407，以及25 mOhm@3A，4.5V Rds on Max Id Vgs，该器件也可以用作25毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，最大功率为1.4W，该器件采用Digi-ReelR交替封装封装，该器件具有8-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为580pF@10V，Id连续漏电流为6A，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id为25°C，为6A。
EMH2409-TL-H是MOSFET 2N-CH 30V 4A EMH8，包括4A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为与30V漏极到源极电压Vdss一起工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在4.4nC@10V下工作，除了240pF@10V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有封装带和卷盘（TR），最大功率为1.2W，最大Id Vgs上的Rds为59mOhm@2A，10V，供应商器件封装为8-EMH。
