9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ500AEP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ500AEP-T1_GE3价格参考1.69000美元。Vishay Siliconix SQJ500AEP-T1_GE3封装/规格：MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL。您可以下载SQJ500AEP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SQJ500AEP-T1_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQJ463EP-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8，包括SQ系列系列，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了用于SQJ463EP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该设备也可作为AEC-Q101鉴定。此外，封装外壳为SO-8，器件采用Si技术，器件具有1个通道数，配置为单通道，晶体管类型为1个P通道，Pd功耗为83 W，最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-30 a，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-2V，Rds漏极源极电阻为10mOhm，晶体管极性为P沟道，Qg栅极电荷为98nC。
SQJ469EP-T1-GE3是MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为SQ系列，该器件提供25 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有100 W的Pd功耗，零件别名为SQJ469EP-GE3，包装为卷轴，包装盒为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为-32A，配置为单。
SQJ464EP-T1_GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于SQ系列系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供TrenchFET等商标功能。
SQJ486EP-T1_GE3，带EDA/CAD型号，包括TrenchFET商标，设计用于SQ系列系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷盘等封装功能。
