SIZF916DT-T1-GE3

Name: SIZF916DT-T1-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7124405-SIZF916DT-T1-GE3
Price: 12.457788 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta）、40A（Tc）供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	12.45778	12.45778
10+	11.10336	111.03366
100+	8.65816	865.81630
500+	7.15250	3576.25450
1000+	5.64671	5646.71000
3000+	5.64678	16940.34600

库存: 1890
单价: ¥12.45779
数量:
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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管特性标准
场效应管类型 2个N通道（双通道）
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
包装/外壳 8-PowerWDFN
供应商设备包装 8-PowerPair (6x5)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A、 2.2V@250A.
最大功率 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
漏源电流 (Id) @ 温度 23A（Ta）、40A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 4毫欧姆 @ 10A, 10V, 1.25毫欧姆 @ 10A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15伏时为1060华氏度，15伏时则为4320华氏度

SIZF916DT-T1-GE3 产品详情

SIZF916DT-T1-GE3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SIZ260DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.12605
SIZ918DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、28A 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.4882
SIZ270DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥10.71949
SIZ346DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）、30A（Tc）供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.5046
SIZ342ADT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A（Ta）、33.4A（Tc）供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.51861
SIZ340ADT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥8.40176
SIZ988DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc), 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.70549
SIZF906BDT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2 N通道（双通道），肖特基场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.53022
Size 675	微动力电池公司 (Micropower)	电池化学物质成份: Zinc Air 额定电压: 1.45伏电芯尺寸: 硬币，11.6毫米端接样式: 需要支架大小/尺寸: 0.45“直径x 0.21”高（11.6毫米x 5.4毫米）包装: 零售套餐	¥2.04011
SIZ250DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、38A（Tc）供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.12605

SIZF916DT-T1-GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SIZF916DT-T1-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIZF916DT-T1-GE3价格参考￥12.457788，你可以下载 SIZF916DT-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIZF916DT-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！