9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ728DT-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ728DT-T1-GE3价格参考1.612美元。Vishay Siliconix SIZ728DT-T1-GE3封装/规格:MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR。您可以下载SIZ728DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ710DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR,包括TrenchFETR系列,它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIZ710DT-GE3的零件别名,该SIZ710DT-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能,封装盒设计为在6-POWERPAIR?中工作?,它的工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该设备提供2信道数信道,该设备具有6-PowerPair?供应商设备包,配置为双重,FET类型为2 N沟道(半桥),最大功率为27W、48W,晶体管类型为2 N-沟道,漏极至源极电压Vdss为20V,输入电容Cis Vds为820pF@10V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为16A、35A,最大Rds Id Vgs为6.8 mOhm@19A、10V,Vgs的最大Id为2.2V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V,Pd功耗为27 W 48 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅极-源极电压为+/-20 V,Id连续漏极电流为16 A,Vds漏极-源极击穿电压为20 V,第Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2.2V,Rds漏极-源极电阻为5.5mOhms 2.7mOhms,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为11.5nC 38nC,正向跨导Min为45S 85S。
SIZ720DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A电源对,包括2V@250μA Vgs th Max Id,它们设计用于2 N沟道晶体管类型,晶体管极性显示在数据表注释中,用于N沟道,提供Si等技术特性,供应商设备包设计用于6-POWERPAIR?,与TrenchFETR系列一样,该器件也可以用作8.7 mOhm@16.8A,10V Rds On Max Id Vgs。此外,最大功率为27W、48W,该设备采用磁带和卷轴(TR)封装,该设备具有6-PowerPair?在封装外壳中,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为2通道,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,输入电容Cis-Vds为825pF@10V,栅极电荷Qg-Vgs为23nC@10V;FET类型为2 N通道(半桥),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为20V,25°C的电流连续漏极Id为16A。
SIZ710DT,带有VISHAY制造的电路图。SIZ710DT在QFN封装中提供,是FET阵列的一部分。