9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ790DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ790DT-T1-GE3参考价格$2.306。Vishay Siliconix SIZ790DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR。您可以下载SIZ790DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ728DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIZ728DT-GE3的零件别名，该SIZ728DTC-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在6-POWERPAIR？中工作？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有6-PowerPair？供应商设备包，配置为双重，FET类型为2 N沟道（半桥），最大功率为27W、48W，晶体管类型为2 N-沟道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis Vds为890pF@12.5V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为16A、35A，最大Id Vgs为7.7 mOhm@18A、10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，Pd功耗为2.5 W 3 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为15 ns 18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为14.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Rds漏极上源极电阻为6.3mOhms 2.9mOhms，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为37S 80S。
SIZ730DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2.2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如30 V，晶体管类型设计用于2 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包是6-PowerPair？，该器件以TrenchFETR系列提供，该器件具有15 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为9.3 mOhm@15A，10V，Rds On漏极-源极电阻为7.5 mOhm 3.2 mOhm，Qg栅极电荷为15.6 nC 43 nC，最大功率为27W，48W，Pd功耗为3.9 W 4.6 W，部件别名为SIZ730DT-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，包装盒为6-PowerPair？，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为830pF@15V，Id连续漏电流为12.9 A，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，正向跨导最小值为48 S 80 S，FET类型为2 N通道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为7 ns 10 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为16A，35A，配置为双重。
SIZ720DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A电源对，包括16A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型的特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在23nC@10V下工作，以及825pF@10V输入电容Cis Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供2通道数量的通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为6-PowerPair？，包装为磁带和卷轴（TR），最大功率为27W、48W，最大Id Vgs的Rds为8.7 mOhm@16.8A、10V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为6-PowerPair？，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs最大Id为2V@250μA。
