9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ900DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ900DT-T1-GE3参考价格$2.228。Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 24A电源对。您可以下载SIZ900DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ790DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR，包括SkyFETR、TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIZ790DT-GE3的零件别名，该SIZ790DTC-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在6-POWERPAIR？中工作？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有6-PowerPair？供应商器件封装，配置为双肖特基二极管，FET类型为2 N沟道（半桥），最大功率为27W、48W，晶体管类型为2 N-沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为830pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A、35A，最大Id Vgs的Rds为9.3 mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，Pd功耗为3.9 W 4.6 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns 10 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为12.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为7.5mOhms 3.8mOhms，晶体管极性为N沟道，正向跨导Min为48S 85S。
SIZ728DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备还可以用作6-PowerPair？供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件的上升时间为15 ns 18 ns，该器件具有7.7 mOhm@18A，10V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为6.3 mOhms 2.9 mOhms，最大功率为27W、48W，Pd功耗为2.5 W 3 W，部件别名为SIZ728DT-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，包装盒为6-PowerPair？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为890pF@12.5V，Id连续漏电流为14.2A，栅极电荷Qg Vgs为26nC@110V，正向跨导最小值为37 S 80 S，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id为25°C，16A，35A，配置为双重。
SIZ730DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR，包括双配置，它们设计用于16A，35A电流连续漏极Id 25°C，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于30V，提供7 ns 10 ns等下降时间功能，FET功能设计用于逻辑电平门，以及2 N沟道（半桥）FET类型，该器件还可以用作48 S 80 S正向跨导最小值。此外，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，该器件提供12.9 A Id连续漏极电流，该器件具有830pF@15V输入电容Cis Vds，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），包装箱为6-PowerPair？，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SIZ730DT-GE3，Pd功耗为3.9 W 4.6 W，最大功率为27W、48W，Qg栅极电荷为15.6 nC 43 nC，漏极-源极电阻为7.5 mOhms 3.2 mOhms，最大Id Vgs为9.3 mOhm@15A、10V，上升时间为15 ns，系列为TrenchFETR，供应商设备包为6-PowerPair？，该技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V，Vgsth最大Id为2.2V@250μA。
