9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的LET9045，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LET9045参考价格为81.976896美元。STMicroelectronics LET9045封装/规格：晶体管射频功率N-CH 80V 9A。您可以下载LET9045英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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LET16060C是RF MOSFET晶体管RF PWR Trans LdMOST N-Ch 60W 13.8dB 1600，包括LET16060系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在M243以及Si技术中工作，该器件也可以用作13.8dB增益。此外，输出功率为60W，器件提供100W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为1.6GHz，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，晶体管极性为N沟道。
LET20030C是RF MOSFET晶体管RF PWR Trans Ldmost系列，包括80 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于75 V Vds漏极-源极击穿电压，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及LET20030系列，该器件也可以用作108W Pd功率耗散。此外，封装为散装，该器件采用M243封装盒，该器件输出功率为45W，工作频率为2GHz，安装方式为SMD/SMT，最大工作温度范围为+200 C，Id连续漏电流为160A，增益为13.9dB。
LET20045C是RF MOSFET晶体管RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH，包括12.5 dB增益，它们设计为以12 a Id连续漏极电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，工作频率设计为2 GHz，以及65 W输出功率，该设备也可以用作M243封装盒。此外，封装为散装，该器件提供130 W Pd功耗，该器件具有LET20045系列，技术为Si，晶体管极性为N沟道，类型为RF功率MOSFET，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs栅极-源极电压为15 V。
