增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- 25 V,0.50 A连续,1.5 A峰值。
- RDS(ON)=0.45Ω@VGS=4.5 V,
- RDS(ON)=0.60Ω@VGS=2.7 V。
- 极低水平的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接操作(VGS(th)<1.5 V)。
- 用于ESD耐用性的栅源齐纳(>6kV人体模型)。
- 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。