特色
- 双SOIC-8封装中的高效组件
- 具有低RDS的高密度功率MOSFET（on）
- 小型SOIC-8表面贴装封装——节省电路板空间
- 二极管表现出高速和软恢复
- 高温下规定的IDSS
- 指定雪崩能量
- 提供SO-8组件的安装信息
- AEC−Q101合格
- 符合RoHS
应用
- DC-DC转换器
- 低压电机控制
- 便携式和电池供电产品中的电源管理
- 计算机
- 打印机
- PCMCIA卡
- 蜂窝电话和无绳电话
NVMD3P03R2G
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥14.97832
-
数量:
- +
- 总计: ¥14.98
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 -
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
NVMD3P03R2G 产品详情
汽车功率MOSFET-30V-3.05A 85 mΩ双P通道，SO-8.AEC-Q101合格MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVMD3P03R2G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVME-31USBA | 微连接公司 (Micro Connectors ) | M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP | ¥267.91487 |
 | NVMSTOR-ULTRA-1-1.5T | 莫比维尔科技公司 (Mobiveil) | 配套使用/相关货物: XCZU19EG, Zynq UltraScale+ 种类: 可编程门阵列 涵盖内容: 董事会 | ¥78,462.3357 |
 | NVMFD5C466NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5C672NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | NVMFD5C478NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | NVMFD5C462NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5483NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | NVMFS5834NLWFT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.11157 |
 | NVM100015 | 东电化 - Lambda (TDK) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,247.22738 |
 | NVM100026 | 东电化 - Lambda (TDK) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 24伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,247.22738 |
NVMD3P03R2G所属分类：场效应晶体管阵列，NVMD3P03R2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMD3P03R2G价格参考￥14.978317，你可以下载 NVMD3P03R2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMD3P03R2G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
