起订量: 888
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该设备专门设计为锂离子电池组保护电路和其他超便携应用的单封装解决方案。FDZ1416NZ采用先进的PowerTrench工艺和最先进的“低间距”WLCSP封装工艺，具有两个公共漏极N沟道MOSFET，可实现双向电流流动。FDZ1416新西兰最大限度地减少PCB空间和rS1S2（打开）。这种先进的WLCSP MOSFET体现了封装技术的突破，使器件能够结合优异的热传递特性、超低外形封装、低栅极电荷和低rS1S2（on）。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDZT40RB5.1 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | FDZT40RB7.5 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 |
 | FDZT40RB5.6 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.42733 |
 | FDZT40RB6.2 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.47755 |
 | FDZT40RB6.8 | 罗姆 (Rohm) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥1.85418 |
 | FDZT40RB8.2 | 罗姆 (Rohm) | DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402 | ¥2.46259 |
 | FDZ1323NZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 6-WLCSP (1.3x2.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
 | FDZ2554PZ | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 18-BGA（2.5x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.27331 | |
 | FDZ4002L | 安盛美 (onsemi) | IC POWER MANAGEMENT | ¥45.72731 |
| FDZ5013C-1 | DOUBLER,FREQUENCY | ¥0.00 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
