特色
- 低压（1.5V）驱动类型
- Nch小信号MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RUF020N02TL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.62145 | 3.62145 |
| 10+ | 2.91888 | 29.18889 |
| 100+ | 1.98890 | 198.89000 |
| 500+ | 1.49145 | 745.72900 |
| 1000+ | 1.11859 | 1118.59300 |
| 3000+ | 1.02537 | 3076.13100 |
| 6000+ | 0.96323 | 5779.39800 |
- 库存: 3000
- 单价: ¥3.62145
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.62
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2A（Ta）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.5伏、4.5伏
- 导通电阻 Rds(ON) 105毫欧姆@2A，4.5V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2 nC @ 4.5 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 180 pF@10 V
- 最大功耗 320mW (Ta)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TUMT3
- 包装/外壳 3-SMD，扁平引线
RUF020N02TL 产品详情
MOSFET通过适用于低电流消耗移动设备的微处理技术制成超低导通电阻。在广泛的阵容中，包括紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场需求。
RUF020N02TL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| RUF020N02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | RUF025N02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.63665 |
 | RUF025N02FRATL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | RUF015N02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.46862 |
RUF020N02TL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RUF020N02TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RUF020N02TL价格参考￥3.621450，你可以下载 RUF020N02TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RUF020N02TL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
