特色
- 低压（1.8V）驱动类型
- Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RUF015N02TL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.46861 | 0.46861 |
- 库存: 150
- 单价: ¥0.46862
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.47
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规格参数
- 长（英寸） thirty-six
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TUMT3
- 包装/外壳 3-SMD，扁平引线
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
- 最大功耗 800mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.5 nC @ 4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 110 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@1.5A，4.5V
RUF015N02TL 产品详情
功率MOSFET通过微处理技术制成低导通电阻器件，适用于广泛的应用。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
RUF015N02TL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RUF020N02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | RUF025N02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 320mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.63665 |
 | RUF025N02FRATL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
| RUF015N02TL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Ta） 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.46862 |
RUF015N02TL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RUF015N02TL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RUF015N02TL价格参考￥0.468616，你可以下载 RUF015N02TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RUF015N02TL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
