2N7000-G

2N7000-G是一种增强型（常关）晶体管，它采用垂直DMOS结构和经验证的硅栅极制造工艺。这种组合产生了具有双极晶体管的功率处理能力以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特点，该器件没有热失控和热诱导的二次击穿。垂直DMOS FET非常适合于广泛的开关和放大应用，其中需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

一般说明
这些N沟道增强型场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这些产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400mA DC的应用，并可提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

特征
.低Rds的高密度电池设计（ON）
.电压控制小信号开关。
.坚固可靠。
.高饱和电流能力。

一般说明
这些N沟道增强型场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这些产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于大多数需要高达400mA DC的应用，并可提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适用于低压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。

特征
.低Rds的高密度电池设计（ON）
.电压控制小信号开关。
.坚固可靠。
.高饱和电流能力。

特色