9icnet为您提供由IXYS-RF设计和生产的IXZ316N60，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。IXZ316N60参考价格27.0236美元。IXYS-RF IXZ316N60封装/规格：RF MOSFET N沟道DE375。您可以下载IXZ316N60英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXYY8N90C3，带有引脚细节，包括GenX3？，XPT？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于XPT，以及to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63包装盒，该设备也可作为标准输入类型。此外，安装类型为表面安装，该设备在TO-252供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为125W，集电器Ic最大值为20A，集电器-发射器击穿最大值为900V，集电器脉冲Icm为48A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，8A，开关能量为460μJ（开），180μJ（关），栅极电荷为13.3nC，25°C时的Td为16ns/40ns，测试条件为450V、8A、30 Ohm、15V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为900 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，且栅极发射极漏电流为100nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
IXZ-2510是MEMS GYROSCOPE 2轴16QFN，包括1.71 V~3.6 V电源，设计用于3.6kHz典型带宽，数据表说明中显示了用于16-QFN（3x3）的供应商设备包，提供131LSB/（°/s）、65.5LSB/（°/s）、32.8LSB/，±1000°/s、±2000°/s，以及16-VFQFN暴露焊盘封装外壳，该设备也可以用作I2C、SPI输出类型，其工作温度范围为-10°C~75°C，该设备提供2.8mA电流供应。
IXYX40N450HV，带电路图，包括管包装。
IXZ2210N50L是DEI制造的Trans RF MOSFET N-CH 500V 10A 8引脚。IXZ2210N50L采用模块封装，是模块的一部分，支持Trans RF MOSFET N-CH 500V 10A 8引脚。
