9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ940EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ940EP-T1_GE3参考价格为1.52000美元。Vishay Siliconix SQJ940EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8。您可以下载SQJ940EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ940EP-T1_GE3带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装外壳设计用于PowerPAKR SO-8 Dual以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件采用PowerPAKR SO-8双非对称供应商器件封装，该器件具有双重配置，FET类型为2 N沟道（双重），最大功率为48W、43W，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为896pF@220V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，18A，Rds On最大Id Vgs为16 mOhm@15A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@20V，Pd功耗为43 W 48 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.9 ns 13.5 ns，上升时间为9.3 ns 9.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15 A 18 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2 V，Rds漏极源极导通电阻为6.4 m欧姆16 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.6 ns 47 ns，典型的导通延迟时间为4.8ns 7.7ns，Qg栅极电荷为20nC 48nC。
带用户指南的SQJ912AEP-T1_GE3，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在2 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表注释中显示了用于20 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如40 V，单位重量设计为在0.017870 oz内工作，以及10 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作23ns典型关断延迟时间。此外，晶体管极性为N沟道，器件以TrenchFET商品名提供，器件具有Si of Technology，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8 Dual，系列为TrenchFETR，上升时间为9 ns，Rds On Max Id Vgs为9.3 mOhm@9.7A，10V，Rds On Drain Source Resistance为9.3 m欧姆，Qg栅极电荷为25.6 nC，功率最大为48W，Pd功耗为48W，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Ciss Vds为1835pF@20V，Id连续漏极电流为30 A，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为30A，配置为双。
SQJ884EP-T1_GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于SQ系列系列，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了TrenchFET等商标功能。
SQJ912EP-T1-GE3是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 5引脚（4+Tab）PowerPAK SO T/R。SQJ912EP-T1-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 5引脚（4+Tab）PowerPAK SO T/R。
