FQA55N25

Name: FQA55N25
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7127339-FQA55N25
Price: 51.134874 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	51.13487	51.13487
10+	45.92722	459.27229
100+	37.62686	3762.68660
500+	32.03085	16015.42800
1000+	30.69772	30697.72800

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
漏源电流 (Id) @ 温度 55A (Tc)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
漏源电压标 (Vdss) 250伏
供应商设备包装 TO-3PN
包装/外壳至3P-3，SC-65-3
最大功耗 310W (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 27.5A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6250 pF @ 25 V

FQA55N25 产品详情

QFET®N沟道MOSFET，超过31A，Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，为广泛的应用提供一流的运行性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器、等离子显示面板（PDP）、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻（RDS（on））降低导通状态损耗，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术，Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数（FOM）。

特色

55A，300VRDS（开）=40mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=27.5A
低栅极电荷（典型值140nC）
低铬（典型值125pF）
100%雪崩测试

应用

其他音频和视频
开关模式电源
有源功率因数校正（PFC）
电子灯镇流器

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型号	制造商	描述	价格
FQA020ADC-N07-M	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -55摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,461.25508
FQA020ADC-007-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,022.76991
FQA020ADC-N07-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,005.02966
FQA020ADC-007-M	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -55摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,435.76492
FQA70N10	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 214W（Tc）供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥22.38056
FQAF11N90C	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 120W（Tc）供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥38.4598
FQA62N25C	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 250伏漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 298W（Tc）供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥51.13487
FQA11N90C-F109	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc）最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥22.63146
FQA90N15	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥50.48301
FQA8N90C-F109	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 240W（Tc）供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.89236

FQA55N25所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQA55N25 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQA55N25价格参考￥51.134874，你可以下载 FQA55N25中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQA55N25规格参数、现货库存、封装信息等信息！