NDS8434A

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta）供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌:
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 825

数量	单价	合计
825+	2.60744	2151.14130

库存: 24591
单价: ¥2.60744
数量:
- +
总计: ¥2,151.14

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
供应商设备包装 8-SOIC
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
最大功耗 2.5W（Ta）
部件状态过时的
制造厂商
漏源电流 (Id) @ 温度 7.8A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@7.9A，4.5V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1730 pF@10 V

NDS8434A 产品详情

这些P沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻并提供优异的开关性能。这些设备特别适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，其中需要快速切换、低在线功耗和抗瞬变。

特色

-6.5 A，-20 VrDS（开启）=35 mΩ@VGS=-4.5 VrDS（打开）=50 mΩ@VGA=-2.7 V
极低rDS（ON）的高密度细胞设计
广泛使用的表面贴装封装中的高功率和电流处理能力

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。

NDS8434A 相关器件

型号	制造商	描述	价格
NDS-SET	格林利 (Greenlee)	NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC	¥322.47709
NDS-09V	APEM公司 (APEM)	NDS-09V	¥10.42978
NDS73PT9-16IT	Insignis (Insignis)	SDR 128MB X32 TSOPII 86L 10X22(X	¥0.84022
NDS66PT5-16ET TR	Insignis (Insignis)	存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫供应商设备包装: 54-TSOP II	¥16.58624
NDS6S2405C	村田电子制作所 (Elcom)	功率（瓦特）: 6 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 通孔	¥147.03087
NDS6D2415C	村田电子制作所 (Elcom)	电压输出2: -15伏功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 通孔	¥147.03087
NDS7002A-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA	¥0.0774
NDS-04V		暂无	¥3.98308
NDS-02V		类型：平拨，凸起式电路结构：单刀单掷开关位数：2 颜色：红色	¥3.1108
NDS-06V		暂无	¥3.54168

NDS8434A所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NDS8434A 由设计生产，可通过久芯网进行购买。NDS8434A价格参考￥2.607444，你可以下载 NDS8434A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NDS8434A规格参数、现货库存、封装信息等信息！