IMW65R027M1HXKSA1
- 描述:MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 132.76670 | 132.76670 |
- 库存: 1
- 单价: ¥132.76670
-
数量:
- +
- 总计: ¥132.77
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 47A (Tc)
- 技术 -
- 场效应管类型 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 最大栅源极电压 (Vgs) -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功耗 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 供应商设备包装 -
- 包装/外壳 -
IMW65R027M1HXKSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IMW65R048M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥122.76571 |
| IMW65R027M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥132.7667 |
 | IMW120R090M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A（Tc） 最大功耗: 115W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥62.1028 |
 | IMW120R350M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥59.60907 |
 | IMW65R107M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH | ¥42.46802 |
 | IMW65R083M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥52.97312 |
| IMW65R057M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 133W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥106.53437 |
| IMW65R039M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 176W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥118.61046 |
 | IMW120R060M1HXKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥103.57347 |
 | IMW120R045M1XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 228W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥146.88601 |
IMW65R027M1HXKSA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IMW65R027M1HXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IMW65R027M1HXKSA1价格参考￥132.766703，你可以下载 IMW65R027M1HXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IMW65R027M1HXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
