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IMW120R045M1XKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 228W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 146.88601 146.88601
10+ 135.02938 1350.29385
100+ 116.60489 11660.48960
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    - +
  • 总计: ¥146.89
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-10伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 52A (Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TO247-3-41
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.7V @ 10毫安
  • 最大功耗 228W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 59毫欧姆 @ 20A, 15V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 52 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1900 pF @ 800 V
  • 色彩/颜色 -

IMW120R045M1XKSA1 产品详情

IMW120R045M1XKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IMW120R045M1XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IMW120R045M1XKSA1价格参考¥146.886012,你可以下载 IMW120R045M1XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IMW120R045M1XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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