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2N7002A

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 30

数量 单价 合计
3000+ 0.18324 549.73500
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥0.39836
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.95
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
  • 最大功耗 350mW (Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@500毫安,10伏
  • 制造厂商 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 280毫安(Ta)

2N7002A 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻(RDS(on)),同时保持优异的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想选择。

应用电机控制电源管理功能

特色

和优点N沟道MOSFET低导通电阻低栅极阈值电压低输入电容快速开关速度小表面安装封装ESD保护栅极,1.2kV HBM完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2),无卤素和锑。绿色设备(注3)符合AEC-Q101高可靠性标准

2N7002A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),2N7002A 由 德欧泰克半导体 (Diotec) 设计生产,可通过久芯网进行购买。2N7002A价格参考¥0.398360,你可以下载 2N7002A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询2N7002A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德欧泰克半导体 (Diotec)

德欧泰克半导体 (Diotec)

40多年来,Diotec Semiconductor为半导体芯片、封装类型、引线配置等提供定制解决方案。他们致力于通过创新和高质量的客户服务取得成功。迪奥泰克将是您的二极管和整流器应用的专家。

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