Microchip 2N7008-G是一种利用垂直DMOS结构的增强型（常关）晶体管。该设计将双极晶体管的功率处理能力与MOS器件的高输入阻抗和正温度系数相结合。
特征无二次故障
低功率驱动要求
易于并行操作
低C国际标准化组织和快速切换速度
优异的热稳定性
集成源漏二极管
高输入阻抗和高增益
特色
- 无二次击穿
- 低功率驱动要求
- 易于并联
- 低CISS和快速切换速度
- 优异的热稳定性
- 集成源漏二极管
- 高输入阻抗和高增益
2N7008-G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 230毫安（Tj） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.07003 | 5.07003 |
| 25+ | 4.22405 | 105.60147 |
| 100+ | 3.90392 | 390.39230 |
- 库存: 4967
- 单价: ¥4.63546
-
数量:
- +
- 总计: ¥5.07
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 最大功耗 1W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-92-3
- 包装/外壳 至226-3，至92-3（至226AA）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 500毫安, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 230毫安（Tj）
2N7008-G 产品详情
2N7008-G N沟道MOSFET晶体管
2N7008-G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N7000RLRP | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92 | ¥0.28972 |
 | 2N7002CK,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | ¥0.14486 |
 | 2N7002BKV,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | ¥0.36215 |
 | 2N7002E,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | ¥0.28972 |
 | 2N7002KQBZ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | 2N7002K 72K | 江苏长电/长晶 (CJ) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA | ¥0.18708 |
| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
 | 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
2N7008-G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7008-G 由 微芯 (Microchip) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7008-G价格参考￥4.635456，你可以下载 2N7008-G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7008-G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商，为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...
