C3M0030090K
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 最大功耗: 149W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 285.22540 | 285.22540 |
10+ | 266.10414 | 2661.04146 |
100+ | 231.04851 | 23104.85100 |
- 库存: 703
- 单价: ¥285.22540
-
数量:
- +
- 总计: ¥285.23
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 包装/外壳 至247-4
- 供应商设备包装 TO-247-4L
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +15伏、-4伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 63A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 39毫欧姆 @ 35A, 15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@11毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 87 nC @ 15 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1864 pF @ 600 V
- 最大功耗 149W(Tc)
C3M0030090K 产品详情
Wolfspeed/Cree SiC C3M MOSFET可实现更高的开关频率,并减少电感器、电容器、滤波器和变压器组件的尺寸。SiC C3M MOSFET具有更高的系统效率和降低的冷却要求。MOSFET还增加了功率密度和系统开关频率。
C3M0030090K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0030090K 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0030090K价格参考¥285.225402,你可以下载 C3M0030090K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0030090K规格参数、现货库存、封装信息等信息!
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...