C3M0120090J
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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50+ | 40.38838 | 2019.41900 |
- 库存: 1000
- 单价: ¥40.38838
-
数量:
- +
- 总计: ¥40.39
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Tc)
- 最大功耗 83W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 900 V
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 导通电阻 Rds(ON) 155毫欧姆@15A,15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@3毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.3 nC@15 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +18V、-8V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 600 V
- 供应商设备包装 D2PAK-7
- 色彩/颜色 -
C3M0120090J 产品详情
Cree SiC C3M MOSFET实现更高的开关频率,并减少电感器、电容器、滤波器和变压器的部件尺寸。SiC C3M MOSFET有助于提高系统效率并降低冷却要求。MOSFET还增加了功率密度和系统开关频率。
C3M0120090J所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0120090J 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0120090J价格参考¥40.388380,你可以下载 C3M0120090J中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0120090J规格参数、现货库存、封装信息等信息!
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...