FQB34N20LTM

Name: FQB34N20LTM
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7127941-FQB34N20LTM
Price: 19.628259 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 200伏漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、180W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	19.62825	19.62825
10+	17.62921	176.29219
100+	14.16856	1416.85610
800+	11.64071	9312.57280
1600+	10.58245	16931.92960

库存: 3086
单价: ¥19.62826
数量:
- +
总计: ¥19.63

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规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
漏源电压标 (Vdss) 200伏
供应商设备包装 DPAK (TO-263)
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 5V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 31A (Tc)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3900 pF @ 25 V
导通电阻 Rds(ON) 75毫欧姆 @ 15.5A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72 nC @ 5 V
最大功耗 3.13W（Ta）、180W（Tc）

FQB34N20LTM 产品详情

QFET®N沟道MOSFET，超过31A，Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor的新型QFET®平面MOSFET采用先进的专有技术，为广泛的应用提供一流的运行性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、DC-DC转换器、等离子显示面板（PDP）、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻（RDS（on））降低导通状态损耗，通过降低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）降低开关损耗。通过使用先进的QFET®工艺技术，Fairchild可以提供优于竞争对手的平面MOSFET器件的改进的品质因数（FOM）。

特色

31A，200V，RDS（开启）=75mΩ（最大值）@VGS=10 V，ID=15.5A
低栅极电荷（典型60nC）
低铬（典型值55pF）
100%雪崩测试
符合RoHS

应用

其他工业

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型号	制造商	描述	价格
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FQB020ADC-N07-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,485.37393
FQB020ADC-007-M	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -55摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥2,129.42223
FQB12N50TM		TRANS MOSFET N-CH 500V 12.1A 3PI	¥7.7499
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FQB7P06TM		场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.83874
FQB19N10LTM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.9836
FQB5N60CTM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、100W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.9836
FQB25N33TM-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 330伏漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc）最大功耗: 3.1W（Ta）、250W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥64.95433

FQB34N20LTM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQB34N20LTM 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQB34N20LTM价格参考￥19.628259，你可以下载 FQB34N20LTM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQB34N20LTM规格参数、现货库存、封装信息等信息！