起订量: 5770
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 5770+ | 0.36214 | 2089.57665 |
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| 5HN02M-TL-E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.36215 |
 | 5HN01M-TL-E-SA | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度 | ¥0.65186 | |
 | 5HN02N | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.65186 | |
| 5HN02C-TB-E | 安盛美 (onsemi) | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.72429 |
| 5HN02N-AA | 安盛美 (onsemi) | TRANS MOSFET N-CH 50V 0.2A | ¥0.65186 |
| 5HN01C-TB-EX | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | ¥97.75018 |
| 5HN01C-TB-E | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | ¥0.65186 |
| 5HN01C-TB-H | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 50V 100MA SMD | ¥31.07204 |
 | 5HN01M-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 |
 | 5HN01M-TL-H | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.65186 |
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
