5HN01M-TL-E-SA

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）最大功耗: 150mW（Ta）供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度
品牌:
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 3206

数量	单价	合计
3206+	0.65186	2089.86636

库存: 246000
单价: ¥0.65186
数量:
- +
总计: ¥2,089.87

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

高度（英寸） -
长（英寸） -
宽（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
包装/外壳 SC-70，SOT-323
漏源电流 (Id) @ 温度 100毫安（Ta）
最大功耗 150mW（Ta）
漏源电压标 (Vdss) 50 V
工作温度 150摄氏度
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@100A.
制造厂商
导通电阻 Rds(ON) 7.5欧姆 @ 50毫安, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.4 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6200 pF @ 10 V
供应商设备包装 MCP
色彩/颜色 -

5HN01M-TL-E-SA 产品详情

5HN01M-TL-E-SA 相关器件

型号	制造商	描述	价格
5HN02M-TL-E	安盛美 (onsemi)	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	¥0.36215
5HN01M-TL-E-SA		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）最大功耗: 150mW（Ta）供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度	¥0.65186
5HN02N		N-CHANNEL SILICON MOSFET	¥0.65186
5HN02C-TB-E	安盛美 (onsemi)	N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET	¥0.72429
5HN02N-AA	安盛美 (onsemi)	TRANS MOSFET N-CH 50V 0.2A	¥0.65186
5HN01C-TB-EX	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 50V 100MA CP3	¥97.75018
5HN01C-TB-E	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 50V 100MA CP3	¥0.65186
5HN01C-TB-H	安盛美 (onsemi)	MOSFET N-CH 50V 100MA SMD	¥31.07204
5HN01M-TL-E	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）最大功耗: 150mW（Ta）供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥0.65186
5HN01M-TL-H	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta）最大功耗: 150mW（Ta）供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥0.65186

5HN01M-TL-E-SA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，5HN01M-TL-E-SA 由设计生产，可通过久芯网进行购买。5HN01M-TL-E-SA价格参考￥0.651861，你可以下载 5HN01M-TL-E-SA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询5HN01M-TL-E-SA规格参数、现货库存、封装信息等信息！