FQB1P50TM

Name: FQB1P50TM
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7128072-FQB1P50TM
Price: 11.154066 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A（Tc）最大功耗: 3.13W（Ta），63W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	11.15406	11.15406
10+	9.97347	99.73473
100+	7.77525	777.52530
800+	6.42293	5138.34480
1600+	5.37807	8604.91360

库存: 1945
单价: ¥11.15407
数量:
- +
总计: ¥11.15

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
包装/外壳到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
漏源电压标 (Vdss) 500 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
供应商设备包装 DPAK (TO-263)
场效应管类型 P-通道
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC@10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 1.5A（Tc）
导通电阻 Rds(ON) 10.5欧姆@750毫安，10V
最大功耗 3.13W（Ta），63W（Tc）

FQB1P50TM 产品详情

增强型P沟道MOSFET，ON半导体

ON Semiconductors系列P沟道MOSFET采用ON Semicon专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻，从而为快速切换提供坚固可靠的性能。

特点和优点：

•电压控制P通道小信号开关
•高密度电池设计
•高饱和电流
•高级切换
•坚固可靠的性能
•DMOS技术

应用：

•负载切换
•DC/DC转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

特色

-1.5A，-500V，RDS（开启）=10.5Ω（最大值）@VGS=10 V，ID=-0.75A
低栅极电荷（典型值11nC）
低铬（典型6pF）
100%雪崩测试
符合RoHS

应用

照明

FQB1P50TM 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FQB020ADC-007-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,485.37393
FQB020ADC-N07-M	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -55摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥2,180.90962
FQB020ADC-N07-S	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -40摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥1,485.37393
FQB020ADC-007-M	东电化 - Lambda (TDK)	过滤器类型: 直流电电流属性: 20A 参数配置: 单级工作温度: -55摄氏度～115摄氏度安装类别: 通孔	¥2,129.42223
FQB12N50TM		TRANS MOSFET N-CH 500V 12.1A 3PI	¥7.7499
FQB17N08TM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A（Tc）最大功耗: 3.13W（Ta）、65W（Tc）供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥1.52101
FQB7P06TM		场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.83874
FQB19N10LTM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc）最大功耗: 3.75W (Ta), 75W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥3.9836
FQB5N60CTM		场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W（Ta）、100W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263AB) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.9836
FQB25N33TM-F085	安盛美 (onsemi)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 330伏漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc）最大功耗: 3.1W（Ta）、250W（Tc）供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥64.95433

FQB1P50TM所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FQB1P50TM 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FQB1P50TM价格参考￥11.154066，你可以下载 FQB1P50TM中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FQB1P50TM规格参数、现货库存、封装信息等信息！