9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO303SP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO303SP参考价格为0.40000美元。Infineon Technologies BSO303SP封装/规格：P通道功率MOSFET。您可以下载BSO303SP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO303P H是MOSFET 2P-CH 30V 7A 8DSO，包括OptiMOS？系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，数据表注释中显示了零件别名，用于BSO303PHXT BSO3303PHXUMA1 SP000613854，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为PG-DSO-8，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为2678pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为7A，最大Id Vgs上的Rds为21mOhm@8.2A，10V，Vgs最大Id为2V@100μA，栅极电荷Qg-Vgs为49nC@110V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为39 ns，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-8.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为21 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为-36nC，正向跨导最小值为27S，信道模式为增强。
BSO303PNTMA1，带有用户指南，包括2V@100μA Vgs th Max Id，设计用于与P-DSO-8供应商设备包一起操作，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如21 mOhm@8.2A，10V，Power Max设计用于2W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1761pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为72.5nC@10V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为8.2A。
BSO303PH，带有INFINEON制造的电路图。BSO303PH在PG-DSO-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
