IAUS300N08S5N014TATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tj) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-HDSOP-16-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 41.53875 | 41.53875 |
- 库存: 5
- 单价: ¥41.53876
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数量:
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大功耗 300W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 300A (Tj)
- 导通电阻 Rds(ON) 1.4毫欧姆@100A,10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 230A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 187 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 13178 pF@40 V
- 供应商设备包装 PG-HDSOP-16-2
- 包装/外壳 16-SOP(0.398“,10.10毫米宽)外露衬垫
IAUS300N08S5N014TATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IAUS300N08S5N014TATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IAUS300N08S5N014TATMA1价格参考¥41.538756,你可以下载 IAUS300N08S5N014TATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IAUS300N08S5N014TATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。