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IAUS200N08S5N023ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOG-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 42.06966 42.06966
  • 库存: 2
  • 单价: ¥42.06966
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥42.07
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 200W(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200A(Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.3毫欧姆@100A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7670 pF @ 40 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 130A
  • 供应商设备包装 PG-HSOG-8-1
  • 包装/外壳 8-PowerSMD, Gull Wing
  • 色彩/颜色 -

IAUS200N08S5N023ATMA1 产品详情

IAUS200N08S5N023ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IAUS200N08S5N023ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IAUS200N08S5N023ATMA1价格参考¥42.069660,你可以下载 IAUS200N08S5N023ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IAUS200N08S5N023ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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