9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的QS6J3TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。QS6J3TR参考价格为73.054美元。Rohm Semiconductor QS6J3TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6。您可以下载QS6J3TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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QS6J11TR是MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6，包括QS6J11系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如SC-74、SOT-457，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在TSMT6供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为600mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为770pF@6V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2A，最大Id Vgs的Rds为105 mOhm@2A，4.5V，Vgs最大Id为1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为6.5nC@4.5V，Pd功耗为600 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为17 ns，Vgs栅极-源极电压为10V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds导通-漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为6.5nC，正向跨导最小值为2S，信道模式是增强。
QS6J1TR是MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6，包括2V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，以及2 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在TSMT6供应商器件封装中提供，该器件具有QS6J1系列，上升时间为12 ns，Rds On Max Id Vgs为215 mOhm@1.5A，4.5V，Rds On Drain Source电阻为310 mOhm，功率最大值为1.25W，Pd功耗为1.25 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-74，SOT-457，其工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为270pF@10V，Id连续漏极电流为1.5A，栅极电荷Qg Vgs为3nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为12ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为1.5A，配置为双通道，通道模式为增强型。
QS6J3，电路图由ROHM制造。QS6J3在SOT163封装中提供，是FET阵列的一部分。
