9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPB45N06S4L08ATMA3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPB45N06S4L08ATMA3参考价格1.87000美元。Infineon Technologies IPB45N06S4L08ATMA3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3。您可以下载IPB45N06S4L08ATMA3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPB45N06S4L-08是MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2，包括OptiMOS-T2系列，它们设计用于卷筒包装。数据表注释中显示了用于IPB45NO6S4L08ATMA1 IPB45NO 6S4L08ATM A2 IPB45N 6S4L08XT SP001028654的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了OptiMOS商品名，该设备还可以用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数的通道，该器件具有1个晶体管型N通道，Pd功耗为71 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为2 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏极电流为45A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为49nC。
IPB45N06S4-09是MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为20 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS-T2系列，上升时间为40 ns，漏极电阻Rds为9.2 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为71 W，部件别名为IPB45N06S409ATMA1 IPB45NO6S409ATTA2 IPB45NO 6S409XT SP001028652，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为45 A，下降时间为5 ns。
IPB45N06S409ATMA2是MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2，包括45A Id连续漏极电流，它们设计为以1个通道数运行。数据表注释中显示了用于to-263-3的封装情况，该封装提供了卷盘等封装功能，零件别名设计用于IPB45NO6S4-09 IPB45NO 6S409XT SP001028652，该器件还可以用作IPB45N06系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.068654盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
IPB45N06S409ATMA1是MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2，包括XPB45N06系列，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘、晶体管极性等封装功能，设计为在N沟道中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，信道数为1信道。
