9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSZ042N04NSG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSZ042N04NSG参考价格为0.43000美元。Infineon Technologies BSZ042N04NSG封装/规格：MOSFET N-CH 40V 40A TO220AB。您可以下载BSZ042N04NSG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSZ042N04NS G是MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSZ042NO4NSGATMA1 BSZ042NO 4NSGTXT SP000388300的零件别名，该BSZ042N 4NSGTT SP0003883000提供SMD/SMT等安装类型功能，商品名设计用于OptiMOS，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4.2ns，上升时间为3.4ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
BSZ040N04LSGATMA1是MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8，包括2V@36μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供OptiMOS等商标特性，技术设计用于Si，以及PG-TSDSON-8（3.3x3.3）供应商设备包，该器件也可以用作OptiMOS？系列此外，Rds On Max Id Vgs为4 mOhm@20A，10V，该设备以69W Power Max提供，该设备具有零件别名BSZ040N04LS BSZ040NO4LSGXT G SP000388295，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为5100pF@20V，栅极电荷Qg Vgs为64nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为18A（Ta），40A（Tc）。
BSZ040N04LSG，带有INF制造的电路图。BSZ040NO4LSG以PG-TSDSON-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
BSZ040N04SLG，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSZ040N04SLG采用P-TDFS8封装，是IC芯片的一部分。
