9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的2N7002K-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002K-TP参考价格为0.29000美元。微型商用Co 2N7002K-TP封装/规格：MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23。您可以下载2N7002K-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N7002K-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于2N7002K-GE3，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，该器件也可作为硅技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-236，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为350mW，晶体管类型为1个N通道，漏极-源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为30pF@25V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为300mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V，Pd功耗为350mW，它的最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为300 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35 ns，典型导通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为0.4nC，正向跨导Min为100mS，信道模式为增强。
2N7002KT1G是MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.050717 oz，典型开启延迟时间设计为12.2 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3（TO-236），系列为2N7002K，上升时间为9 ns，Rds On Max Id Vgs为1.6 Ohm@500mA，10V，Rds On Drain Source Resistance为1.6 Ohms TO 2.5 Ohms，Power Max为300mW，Pd功耗为300mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为24.5pF@20V，Id连续漏极电流为320 mA，栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为9 ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为320mA（Ta），配置为单一，并且信道模式是增强。
2N7002KTB，电路图由PANJIT制造。2N7002KTB在SOT423封装中提供，是IC芯片的一部分。
