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CEDM8004VL TR PBFREE

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安 (Ta) 最大功耗: 100mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-883VL 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 中央半导体 (Central)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.82473 2.82473
10+ 2.31772 23.17728
100+ 1.57605 157.60550
500+ 1.18204 591.02050
1000+ 0.88653 886.53100
2000+ 0.81265 1625.30600
  • 库存: 12236
  • 单价: ¥2.82473
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.82
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 8V
  • 制造厂商 中央半导体 (Central)
  • 包装/外壳 SC-101,SOT-883
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 100mW(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 450毫安 (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.1欧姆@430毫安,4.5伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.88 nC @ 4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 55 pF @ 25 V
  • 供应商设备包装 SOT-883VL
  • 色彩/颜色 -

CEDM8004VL TR PBFREE 产品详情

CEDM8004VL TR PBFREE所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CEDM8004VL TR PBFREE 由 中央半导体 (Central) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CEDM8004VL TR PBFREE价格参考¥2.824731,你可以下载 CEDM8004VL TR PBFREE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CEDM8004VL TR PBFREE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

中央半导体 (Central)

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