9icnet为您提供由Central Semiconductor Corp设计和生产的CEDM7001 TR PBFREE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CEDM7001 TR PBFREE参考价格为0.60000美元。中央半导体公司CEDM7001 TR PBFREE封装/规格：MOSFET N-CH 20V 100MA SOT883。您可以下载CEDM7001 TR PBFREE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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CEDM7001 TR是MOSFET N沟道MOSFET 20V 100mA，包括CEDM7002系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如DFN-1006B-3，技术设计用于Si，以及1沟道数量的信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供100 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为0.9V，Rds导通漏极-源极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为50ns，Qg栅极电荷为0.566nC，沟道模式为增强。
CEDM7001 BK带有用户指南，其中包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了CEDM7等系列功能，封装设计为批量工作，以及1沟道数量的信道。
CEDM7001，电路图由CENTRAL制造。CEDM7001采用SMD封装，是FET的一部分-单个。
CEDM7001TR，带有CENTRAL制造的EDA/CAD模型。CEDM7001TR采用SOT-883L封装，是FET的一部分-单个。
