9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的2N7002W-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002W-TP参考价格0.40000美元。微型商用Co 2N7002W-TP封装/规格：MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323。您可以下载2N7002W-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N7002WT1G是MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323，包括2N7002W系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000219盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SC-70、SOT-323以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SC-70-3（SOT323），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为280mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为24.5pF@20V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为310mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.7nC@4.5V，Pd功耗为280 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9纳秒，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为310 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds导通-漏极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55.8 ns，典型的开启延迟时间为12.2ns，信道模式为增强。
2N7002W-NL，带有GP/FAIRCHILD制造的用户指南。2N7002W-NL采用SC703L封装，是IC芯片的一部分。
2N7002WT/R，电路图由PANJIT制造。2N7002WT/R采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
