特色
- 低导通电阻
- 内置G-S保护二极管
- 小型表面安装封装（TSMT3）
- 无铅铅镀层；符合RoHS
RQ5E065AJTCL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 760mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.92517 | 4.92517 |
| 10+ | 4.36746 | 43.67469 |
| 100+ | 3.34622 | 334.62200 |
| 500+ | 2.64510 | 1322.55350 |
| 1000+ | 2.11608 | 2116.08600 |
| 3000+ | 1.91770 | 5753.10900 |
| 6000+ | 1.80348 | 10820.89200 |
- 库存: 2111
- 单价: ¥4.92517
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.93
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 供应商设备包装 TSMT3
- 包装/外壳 SC-96
- 漏源电流 (Id) @ 温度 6.5A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 18.1毫欧姆@6.5A，4.5V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@2毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.2 nC@4.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1370 pF@15 V
- 最大功耗 760mW (Ta)
- 色彩/颜色 -
RQ5E065AJTCL 产品详情
RQ5E040TN是一种小信号MOSFET，具有低导通电阻和内置G-S保护二极管。它适用于切换。
RQ5E065AJTCL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RQ5E040TNTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | RQ5C060BCTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.3706 |
| RQ5E065AJTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 760mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | RQ5E025ATTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | RQ5L020SNTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 |
 | RQ5E035XNTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | RQ5A025ZPTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 760mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | RQ5E025SNTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 |
 | RQ5C020TPTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | RQ5RW32BA-TR-FE | 日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 稳压器数量: one 供应商设备包装: SC-82AB 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥1.8925 |
RQ5E065AJTCL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RQ5E065AJTCL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQ5E065AJTCL价格参考￥4.925172，你可以下载 RQ5E065AJTCL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQ5E065AJTCL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
