特色
- 低导通电阻
- 内置G-S保护二极管
- 小型表面安装封装（TSMT3）
- 无铅铅镀层；符合RoHS
RQ5E025SNTL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.47659 | 3.47659 |
| 10+ | 2.95510 | 29.55103 |
| 100+ | 2.20836 | 220.83600 |
| 500+ | 1.73525 | 867.62700 |
| 1000+ | 1.34087 | 1340.87800 |
| 3000+ | 1.22252 | 3667.58700 |
| 6000+ | 1.14372 | 6862.35600 |
- 库存: 133
- 单价: ¥3.47659
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.48
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 供应商设备包装 TSMT3
- 包装/外壳 SC-96
- 最大功耗 700mW (Ta)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.5A（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 2.5A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.1 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 165 pF@10 V
- 色彩/颜色 -
RQ5E025SNTL 产品详情
RQ5E025SN是一种小信号MOSFET，具有低导通电阻和内置G-S保护二极管。它适用于切换。
RQ5E025SNTL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | RQ5E040TNTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | RQ5C060BCTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.3706 |
 | RQ5E065AJTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 760mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | RQ5E025ATTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 1W（Tc） 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 |
 | RQ5L020SNTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.9836 |
 | RQ5E035XNTCL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | RQ5A025ZPTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 760mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
| RQ5E025SNTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 |
 | RQ5C020TPTL | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TSMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | RQ5RW32BA-TR-FE | 日清纺微器件公司 (Nisshinbo Micro) | 输出类别: 固定的 输出配置: 阳性的 稳压器数量: one 供应商设备包装: SC-82AB 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥1.8925 |
RQ5E025SNTL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，RQ5E025SNTL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。RQ5E025SNTL价格参考￥3.476592，你可以下载 RQ5E025SNTL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询RQ5E025SNTL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
