9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMG2302UQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG2302UQ-13参考价格为0.44000美元。Diodes Incorporated DMG2302UQ-13封装/规格：MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3。您可以下载DMG2302UQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG2302U-7是MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23，包括DMG2302系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为594.3pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.2A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为90mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为1V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@4.5V，Pd功耗为800mW，下降时间为6.7ns，上升时间为9.8ns，Id连续漏极电流为4.2A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-源极电阻为90m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.1ns，典型接通延迟时间为7.4ns，正向跨导最小值为13S，沟道模式为增强。
带有用户指南的DMG2302UQ-13，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了DMG2302UQ-7等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1信道数量的信道。
DMG2302U-7-F，电路图由Diodes制造。DMG2302U-7-F采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
