AO3420

Name: AO3420
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7130377-AO3420
Price: 0.267828 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 1.4W（Ta）供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
交期:2-3 工作日

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数量	单价	合计
1+	0.50241	0.50241
10+	0.40992	4.09926
30+	0.36368	10.91064
100+	0.32900	32.90010
600+	0.26399	158.39760
1200+	0.25012	300.15120

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规格参数

高度（英寸） -
长（英寸） -
宽（英寸） -
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
漏源电压标 (Vdss) 20伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@1毫安
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
部件状态不适用于新设计
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
漏源电流 (Id) @ 温度 6A (Ta)
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、10伏
导通电阻 Rds(ON) 24欧姆@6A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.8 nC @ 4.5 V
最大功耗 1.4W（Ta）
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 630 pF @ 10 V
色彩/颜色 -

AO3420 产品详情

AO3420 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO3400-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：28mΩ@10V,5.8A	¥0.24018
AO3401-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@10V,2A	¥0.12624
AO3400-ED	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,2.8A	¥0.13709
AO3416A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@4.5V,6.5A	¥0.24843
AO3401CI-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A A19T	¥0.20198
AO3442A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.32955
AO3480A(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.35232
AO3422A	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.42748
AO3409A	广东友台半导体 (UMW)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：130mΩ@10V,2.6A	¥0.14196
AO3402A	广东友台半导体 (UMW)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,4A	¥0.18614

AO3420所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AO3420 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO3420价格参考￥0.267828，你可以下载 AO3420中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO3420规格参数、现货库存、封装信息等信息！