9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG6402LDM-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG6402LDM-7参考价格为0.44000美元。Diodes Incorporated DMG6402LDM-7封装/规格：MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26。您可以下载DMG6402LDM-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DMG6402LDM-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DMG6301UDW-13带有引脚细节，包括DMG6301系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于PowerDI，以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商设备包为SOT-363，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为300mW，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为25V，输入电容Ciss Vds为27.9pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为240mA，最大Id Vgs上的Rds为4 Ohm@400mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.36nC@4.5V，Pd功耗为370 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.3 ns，上升时间为1.8 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为240 mA，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Vgs第栅-源极阈值电压为0.85 V，Rds漏极源极电阻为3.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.6ns，典型接通延迟时间为2.9ns，Qg栅极电荷为0.36nC，正向跨导Min为1S，信道模式为增强。
带有用户指南的DMG6301UDW-7，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在0.85V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于8 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如25 V，单位重量设计为在0.000212盎司内工作，以及2.9 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作6.6ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有Si of Technology，供应商器件封装为SOT-363，系列为DMG6301，上升时间为1.8 ns，Rds On Max Id Vgs为4 Ohm@400mA，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为3.8 Ohm，Qg Gate Charge为0.36 nC，Power Max为300mW，Pd功耗为370 mW，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为27.9pF@10V，Id连续漏极电流为240 mA，栅极电荷Qg-Vgs为0.36nC@4.5V，正向跨导最小值为1 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为2.3 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏极Id为240mA，配置为双通道，通道模式为增强型。
DMG5802LFX-7是MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN，包括双配置，它们设计为在25°C的6.5A电流连续漏极下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于24V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计为在2 N通道（双）公共漏极中工作，以及31.3nC@10V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作6.5A Id连续漏极电流。此外，输入电容Ciss Vds为1066.4pF@15V，该器件为表面安装型，该器件具有2个通道数，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），封装外壳为6-VFDFN暴露垫，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为980 mW，最大功率为980mW，Rds漏极-源极电阻为20 mOhm，Rds最大Id Vgs为15 mOhm@6.5A，4.5V，系列为DMG5802，供应商器件封装为6-DFN5020（5x2），技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2 N沟道；Vds漏极源极击穿电压为24 V，Vgs最大Id为1.5V@250μA。
