9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO203PH，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO203PH参考价格为0.61000美元。Infineon Technologies BSO203PH包装/规格：BSO203-20V-250V P-CHANNEL POWE。您可以下载BSO203PH英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO201SP H是MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC，包括OptiMOS P系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSO201SPHXT BSO201SPHXUMA1 SP000613828的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为162 ns，上升时间为99 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-14.9A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为99ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为-66nC，正向跨导最小值为71S，沟道模式为增强。
BSO203P H是MOSFET P-Ch-20V-8.2A DSO-8 OptiMOS P，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如45 ns，晶体管类型设计为在2 P通道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作OptiMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为OptiMOS P系列，该器件具有55 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为21 mOhms，Qg栅极电荷为-26nC，Pd功耗为2 W，部件别名为BSO203PHXT BSO203PHPXUMA1 SP000613858，封装为卷筒，封装外壳为DSO-8，信道数为2信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-8.2 A，正向跨导最小值为33 S，下降时间为74 ns，配置为双通道，通道模式为增强型。
BSO201SPHXUMA1是MOSFET P-Ch-20V-14.9A DSO-8 OptiMOS P，包括1个信道数量的信道，它们设计用于SOIC-8封装盒。数据表中显示了用于卷盘的封装，该卷盘提供了部件别名功能，如BSO201SP BSO201SPHXT H SP000613828，系列设计用于BSO201，以及Si技术，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 P沟道。
具有INFINEON制造的EDA/CAD模型的BSO201SPH。BSO201SPH在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
