9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO201SPH，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO201SPH参考价格为0.62000美元。英飞凌科技BSO201SPH封装/规格：BSO201-20V-250V P通道POWE。您可以下载BSO201SPH英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO201SP H是MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC，包括OptiMOS P系列，它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了用于BSO201SPHXT BSO201SPHXUMA1 SP000613828的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为2.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为162 ns，上升时间为99 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-14.9A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为99ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为-66nC，正向跨导最小值为71S，沟道模式为增强。
BSO200P03S H是MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 P沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于P沟道，提供OptiMOS等商标特性，技术设计用于Si以及OptiMOS P系列，该器件也可以用作20毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，零件别名为BSO200P03SHXT BSO200P02SHXUMA1 SP000613850，该设备采用卷筒包装，该设备具有DSO-8封装盒，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为-9.1A。
BSO201SP是INFINEON制造的MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC。BSO201SP采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 20V 14.9A 8-SOIC。
