C3M0120100K
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 99.80716 | 99.80716 |
10+ | 91.70235 | 917.02357 |
100+ | 77.44688 | 7744.68810 |
500+ | 68.89446 | 34447.23250 |
1000+ | 63.19285 | 63192.85400 |
- 库存: 3145
- 单价: ¥99.80716
-
数量:
- +
- 总计: ¥99.81
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±15V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 22A(Tc)
- 包装/外壳 至247-4
- 供应商设备包装 TO-247-4L
- 最大功耗 83W (Tc)
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 导通电阻 Rds(ON) 155毫欧姆@15A,15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@3毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 600 V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21.5 nC@15 V
- 色彩/颜色 -
C3M0120100K 产品详情
Wolfspeed C3M0120100K碳化硅功率MOSFET具有1kV的优化封装,适用于快速开关器件。C3M0120100K增强型四引线TO-247-4封装提供了较低的开关损耗,由于开尔文栅极连接,栅极电路振铃最小。这增加了爬电距离,以最好地支持这些高电压分立器件的操作。针对电动汽车充电系统和三相工业电源进行了优化,1kV设备通过提供独特的设备解决了许多电源设计难题。C3M0120100K具有低导通电阻、非常低的输出电容和低的源电感,可完美融合低开关损耗和低传导损耗。
C3M0120100K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0120100K 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0120100K价格参考¥99.807162,你可以下载 C3M0120100K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0120100K规格参数、现货库存、封装信息等信息!
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...