C3M0065100J
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 113.5W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 138.70153 | 138.70153 |
10+ | 127.48952 | 1274.89526 |
100+ | 107.67005 | 10767.00540 |
500+ | 95.78011 | 47890.05500 |
- 库存: 3010
- 单价: ¥138.70154
-
数量:
- +
- 总计: ¥138.70
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
- 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
- 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
- 最大栅源极电压 (Vgs) +15伏、-4伏
- 供应商设备包装 D2PAK-7
- 导通电阻 Rds(ON) 78毫欧姆 @ 20A, 15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@5毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 15 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660 pF @ 600 V
- 最大功耗 113.5W(Tc)
- 色彩/颜色 -
C3M0065100J 产品详情
Wolfspeed C3M0065100J SiC功率MOSFET减少了开关损耗,并使栅极振铃最小化。这种MOSFET提高了系统开关频率,适合于快速开关器件。C3M0065100J MOSFET包括13ns的典型关断和接通延迟时间。该MOSFET的工作温度范围为-55�C至150�C.C3M0065100J SiC MOSFET提供35A的连续漏极电流(Id)、1kV的VDS、65m RDS(on)和35nC Qg。该MOSFET具有高系统效率和提高功率密度。
C3M0065100J所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0065100J 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0065100J价格参考¥138.701535,你可以下载 C3M0065100J中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0065100J规格参数、现货库存、封装信息等信息!
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...