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C3M0065100K

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 113.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-4L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 138.70153 138.70153
10+ 127.48952 1274.89526
100+ 107.67005 10767.00540
500+ 95.78011 47890.05500
  • 库存: 872
  • 单价: ¥138.70154
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥138.70
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
  • 技术 SiCFET(碳化硅)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 15伏
  • 包装/外壳 至247-4
  • 供应商设备包装 TO-247-4L
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
  • 制造厂商 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +19伏、-8伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 78毫欧姆 @ 20A, 15V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@5毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 35 nC @ 15 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660 pF @ 600 V
  • 最大功耗 113.5W(Tc)
  • 色彩/颜色 蓝色

C3M0065100K 产品详情

Wolfspeed C3M0065100K碳化硅(SiC)功率MOSFET具有1kV的优化封装,适用于快速开关器件。C3M0065100K采用增强型四引线TO-247-4封装,具有开尔文门连接。开尔文源设计显著减少了开关损耗和门振铃。针对电动汽车充电系统和三相工业电源进行了优化,这种1kV、65m的设备具有低导通电阻、低输出电容和低源电感。
C3M0065100K所属分类:分立场效应晶体管 (FET),C3M0065100K 由 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed) 设计生产,可通过久芯网进行购买。C3M0065100K价格参考¥138.701535,你可以下载 C3M0065100K中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询C3M0065100K规格参数、现货库存、封装信息等信息!

沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)

沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)

Wolfspeed(纽约证券交易所代码:WOLF)在全球采用碳化硅和氮化镓技术方面处于领先地位。我们为高效能源消费和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed的产品系列包括碳化硅材料、电源开关...

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