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IPB65R310CFDA是MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2，包括XPB65R310系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在IPB65R510CFDAATMA1 IPB65R410CFDAXT SP000879440中使用的数据表注释中，该IPB65R110CFDAXTSP00087940提供了SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于PG-TO263以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有104.2 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为7 ns，上升时间为7.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为11.4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs第栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为310欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为41nC，沟道模式为增强。
IPB65R310CFDAATMA1是MOSFET N-Ch 650V 11.4A D2PAK-2，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于0.068654盎司单位重量，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该设备也可以用作IPB65R310系列。此外，Rds漏极源极电阻为310 mOhms，该器件以IPB65R310CFDA IPB65R110CFDAXT SP000879440零件别名提供，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-263-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为11.4 a。
带电路图的IPB65R310CFDATMA1，包括1个通道数量的通道，它们设计为与to-263-3封装盒一起工作。数据表说明中显示了用于卷筒的包装，该卷筒提供了部件别名功能，如IPB65R110CFD IPB65R410CFDXT SP000745032，系列设计为在XPB65R310以及Si技术中工作，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供1 N沟道晶体管类型。
